盛世嫡妃凤轻小说,网络小说排行榜

08-16 2024 

嘉儀通在第14屆無機(jī)非金屬材料專題研討會(huì)作快速退火應(yīng)用主題報(bào)告

第14屆無機(jī)非金屬材料專題研討會(huì)暨無機(jī)非金屬材料學(xué)科優(yōu)秀學(xué)者論壇于2024年8月12日至14日在湖北省武漢市成功舉辦。此次盛會(huì)由中國硅酸鹽學(xué)會(huì)主辦，武漢理工大學(xué)、湖北隆中實(shí)驗(yàn)室和佛山仙湖實(shí)驗(yàn)室聯(lián)合承辦，得到了《無機(jī)材料學(xué)報(bào)》等期刊的大力支持···

07-27 2024 

半導(dǎo)體材料為什么要測變溫電阻率？

電阻率是用來表示各種物質(zhì)電阻特性的物理量，溫度一定的情況下，電阻率的計(jì)算公式為：ρ=RS/L（ρ就是電阻率；L為材料的長度；S為面積）。變溫電阻測試儀測變溫電阻率是一項(xiàng)重要的實(shí)驗(yàn)手段，它對于深入理解材料的電學(xué)性質(zhì)、摻···

07-19 2024 

RTP快速退火爐在半導(dǎo)體合金化退火中的好處

快速退火爐作為一種快速熱處理設(shè)備，在半導(dǎo)體工藝中扮演著至關(guān)重要的角色，特別是在合金化退火過程中，可讓電極與半導(dǎo)體間有良好的歐姆接觸，有利于克服金屬與半導(dǎo)體界面的肖特基勢壘，減小歐姆接觸電阻，確保I-V曲線呈線性。一、合金化退火的···

06-26 2024 

半導(dǎo)體材料電學(xué)性能研究主要測試哪些參數(shù)，有什么用？

半導(dǎo)體材料是現(xiàn)代工業(yè)中不可或缺的核心元素，它們具備獨(dú)特的物理特性，能夠在一定條件下調(diào)控電子的流動(dòng)，從而展現(xiàn)出介于導(dǎo)體和絕緣體之間的導(dǎo)電性能。半導(dǎo)體材料的主要測試參數(shù)有霍爾系數(shù)、載流子濃度、載流子遷移率和電阻率等?；魻栂禂?shù)是半導(dǎo)體材料在磁場中···

06-19 2024 

一鍵測量材料多種電學(xué)參數(shù)-嘉儀通霍爾效應(yīng)測試儀

霍爾效應(yīng)測試儀是一種廣泛應(yīng)用于金屬、半導(dǎo)體、電子、無機(jī)、復(fù)合等材料科學(xué)領(lǐng)域的實(shí)驗(yàn)設(shè)備，可以幫助研究人員和工程師們更好地理解材料的電學(xué)性質(zhì)?；魻栃?yīng)的本質(zhì)是固體材料中的載流子在外加磁場中運(yùn)動(dòng)時(shí),因?yàn)槭艿铰鍋銎澚Φ淖饔枚管壽E發(fā)生偏移,并在材料···

05-30 2024 

RTP快速退火爐在促進(jìn)InGaAsP LED表面鈍化中的應(yīng)用

III-V族InP/InGaAsP/InGaAs材料家族對于光電子器件非常重要，特別是在1.55和1.3μm波段的光學(xué)發(fā)射和吸收，這對于光學(xué)互連非常重要[1]。然而，InGaAsP/InGaAs通常相對于Si[2]和InP[3]具有較高的表···

05-23 2024 

快速熱處理RTP在β-Ga2O3 MESFET器件中的應(yīng)用

β型氧化鎵（β-Ga?O?），是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，其最顯著的特征是具有超寬的禁帶寬度（約4.4~4.9 eV），還具有較高的擊穿電場強(qiáng)度、較低的介電常數(shù)以及出色的熱導(dǎo)率[1]，這些特性使得它在制造高性能電子器件[2]方面具有得天獨(dú)厚的優(yōu)···

05-18 2024 

2024年全國大學(xué)生物理實(shí)驗(yàn)競賽研討會(huì)嘉儀通展示創(chuàng)新物理實(shí)驗(yàn)儀器

2024年5月17日-20日，于遼寧錦州召開2024年全國大學(xué)生物理實(shí)驗(yàn)競賽（創(chuàng)新）研討會(huì)（東北地區(qū)）。此次研討會(huì)為推動(dòng)?xùn)|北地區(qū)高校更加廣泛參與全國大學(xué)生物理實(shí)驗(yàn)競賽，進(jìn)一步激發(fā)大學(xué)生對大學(xué)物理基礎(chǔ)課程的學(xué)習(xí)興趣和學(xué)習(xí)潛能，培養(yǎng)學(xué)生的創(chuàng)新精···

05-17 2024 

快速熱處理RTP的合金化在3C-SiC-PiN中的應(yīng)用

碳化硅（SiC）是一種優(yōu)異的第三代半導(dǎo)體材料。其中，3C-SiC（立方相碳化硅）相對于其他SiC晶型（如4H-SiC和6H-SiC）具有一些優(yōu)點(diǎn)[1]，如與硅技術(shù)集成性好、較低的晶格失配、較高的載流子遷移率、成本相對較低，在以下領(lǐng)域有獨(dú)特的···

05-10 2024 

2024高等學(xué)校物理教學(xué)創(chuàng)新與發(fā)展研討會(huì)嘉儀通與各學(xué)者共同探討大學(xué)物理發(fā)展和創(chuàng)新路徑

2024年5月9日-13日，高等學(xué)校物理教學(xué)創(chuàng)新與發(fā)展研討會(huì)暨《大學(xué)物理》編委會(huì)擴(kuò)大會(huì)議在蘇州科技大學(xué)學(xué)術(shù)交流中心舉辦。嘉儀通攜創(chuàng)新物理教學(xué)系列儀器與參會(huì)者交流互動(dòng)，深入了解高等學(xué)校物理教學(xué)創(chuàng)新的最新動(dòng)態(tài)和發(fā)展趨勢。本次會(huì)議聚···